ru en

Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для варикапов

Параметр Символ Единица
измерения
Режим
измерения
Минимальное
значение
Максимальное
значение
Напряжение пробоя U R B I R=10 мкА 100 -
Удельная емкость C пФ/мм 2 U R=4 В 50 65
Обратный ток I R мкА U R=100 В - 1,0
Коэффициент перекрытия по емкости K - U R=4÷100 В 3,9 4,5
Диаметр D мм - 40 50

Конструкция эпитаксиальных гетероструктур для варикапов:

№ слоя
1
2
3
4
№ слоя Тип проводимости Состав AlAs, x Концентрация
носителей, см -3
Толщина, мкм
1 p + 0 >1×10 18 12 - 14
2 n - 0 (1-2)×10 15 10 - 12
3 n 0,2 (1-3)×10 16 3 - 5
4 n+ 0 >1×10 18 400 мкм