ru en

Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs-AlGaAs для приборов силовой электроники

Номинал силового диода, UR, В Диаметр, d, мм Напряжение
пробоя, U BR
min, В
Время
обратного
восстановления,
τ rr1, нс
Прямое
напряжение,
U F, В
400 50 440 15-40 1,3-1,5
600 50 660 20 - 50 1,35-1,55
900 50 990 20 - 50 1,4-1,6
1200 50 1320 25-60 1,45-1,7
Конструкция p-i-n структуры на основе GaAs-AlGaAs
№ слоя
1
2
3
4
5
6
№ слоя Тип эпитаксиальной области Концентрация носителей, см -3 Толщина области, мкм
1 Сильнолегированный n+-слой GaAs (AlGaAs) n=1÷5*10 18 3-7
2 Слаболегированный n-слой GaAs n=5*10 13÷5*10 15 30 - 60
3 Высокоомныйi-слой GaAs n<5*10 13 10 - 50
4 Слаболегированный p—слой GaAs p=5*10 13÷10 15 10 - 25
5 Буферный p-слой GaAs p=1÷7*10 16 5 - 15
6 Сильнолегированная p+-подложка GaAs p=0,8÷2*10 19 300