ru en

Продукция

В настоящее время ООО «ЭПИКОМ» разрабатывает и производит высокоомные эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs-AlGaAs для силовых диодов номиналами 400, 600, 900, 1200 В, а также гетероструктуры GaAs-AlGaAs для варикапов. Высокоомные эпитаксиальные p-i-n структуры на основе GaAs-AlGaAs обладают рядом преимуществ по сравнению с кремниевыми аналогами:

Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs-AlGaAs для приборов силовой электроники
Эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs-AlGaAs для приборов силовой электроники
Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для варикапов
Гетероструктуры GaAs-AlGaAs для варикапов