Продукция
В настоящее время ООО «ЭПИКОМ» разрабатывает и производит высокоомные эпитаксиальные p-i-n структуры GaAs-AlGaAs для силовых диодов номиналами 400, 600, 900, 1200 В, а также гетероструктуры GaAs-AlGaAs для варикапов. Высокоомные эпитаксиальные p-i-n структуры на основе GaAs-AlGaAs обладают рядом преимуществ по сравнению с кремниевыми аналогами:
- высокое быстродействие – время обратного восстановления до 15 нс
- широкий интервал рабочих температур – до 250 оС
- независимость параметров процесса обратного восстановления от температуры
- минимальные токи утечки, в том числе при предельной температуре 250 оС
- мягкая характеристика процесса обратного восстановления
- высокая лавиноустойчивость (надежность)
- широкий интервал рабочих токов – 1-100 А
